半導体用語集
べーキング
英語表記：baking
フォトレジストのパターン形成に当たっては、種々の熱処理が行われる。
(1)プリべーク(prebake)
塗布直後のレジストフィルム中にはレジスト溶媒が多く残留している。そのままでは、レジストフィルム膜厚の経時変化が生したり、現像時のレジストパターン剥がれや未露光部でのレジスト膜減りの増加が多くなるので,プリべークによりフィルム中の余剰溶媒を揮発させる。また、ピンホールについてもプリべーク温度依存性があるといわれている。プリべークでは,80～110℃の温度が主に用いられているが、高温べーク型化学増幅レジストのように130～140℃で行う場合もある。
(2)ポスト工クスポージャベーク
(Post Exposure Bake : PEB) 「現像前べーク」の項参照。
(3)ハードベーク(hard bake)
ポストべーク (post bake) とも呼び、ウェット工ッチング時の浸み込みを改善するため、現像後に行うべーキングを指す。 レジスト耐熱性以下の温度でポストべークを行うことで、レジスト中の残留溶媒や現像時にレジスト中に取り込まれたリンス液が除去されるため、ウェットエッチング時の浸み込みが低減される。
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