半導体用語集
酸拡散
英語表記：acid diffusion
化学増幅レジストは露光により酸を発生させ、その後、加熱することにより酸を触媒とした反応が進行する。
この時の酸拡散はレジストの基本性能である感度、解像性などに大きく影響している。酸拡散の様子は、acid chain length (発生した酸1個当たりの反応数を表わす)で表わされたり、あるいはレジスト膜上に水溶性樹脂を塗布し、PEB後、現像して酸拡散の様子を直接確認することが試みられている。一般的に酸拡散を大きくすることにより感度が、小さくすることにより解像性が向上する傾向がみられる。酸拡散を決定する要因としては、残留溶媒量、レジスト樹脂(親水性、疎水性)、発生する酸の大きさ、べーキング温度(プリべーク、ポストエクスポージャベーク; PEB)などをあげることができる。実際にはこれらの要因が複雑にからみあっており、プロセスの最適化を複雑にしている。一方、塩基性物質を酸抑制剤として添加し、酸拡散を積極的に制御することが行われている。こうした塩基性物質は発生した酸を失活させるため、クエンチャと呼ばれている。クエンチャを用いることにより、酸拡散が抑えられ、PED (Post Exposure Delay;ホスト工クスポージャディレイ)などの環境耐性が向上する。現在では、クエンチャを用いることが一般的になっている。
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