半導体用語集
イントリンシック
英語表記：intrinsic gettering
シリコンウェーハの内部に分布させた高密度の微小欠陥を汚染不純物や点欠陥などの捕獲拠点として利用するゲッタリング方法。結晶製造時に石英るつぼから溶出した酸素が結晶中に取り込まれることに着目し、多段熱処理にてウェーハ内部に内部欠陥（Bulk Micro-Defect, BMD）を誘起する。デバイス工程に最適な密度で形成することが重要で、結晶中の酸素濃度と多段熱処理条件を最適化することで効果が高められる。インターナルゲッタリングともいう。
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