半導体用語集
クーロンブロッケード
英語表記：Coulomb blockade
電子が電荷素量eを有する粒子であるため、微小静電容量回路に電子がトンネルすることが閉塞（ブロッケード）されること。静電容量が十分小さく、電子1個の蓄積に必要な帯電エネルギー Ec=e²/2C が、熱エネルギーkTに比較して十分大きくなると顕著に現われる。単一障壁で観測されるブッロケードと単ードットで観測されるブロッケードがあるが、一般的には、後者の単ードットのクーロンブロッケードを指す場合が多い。(1)単一障壁のクーロンブロッケード：静電容量Cを有するキャパシタでは、両端の電位Vによって電荷 Q=CV が誘起される。キャパシタを電子が自由に行き来できるようなトンネル障壁（容量C、トンネル抵抗Rt）に置き換え、シリーズ抵抗 Rs(
関連製品
「クーロンブロッケード」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「クーロンブロッケード」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
