半導体用語集
ショットキバリア
英語表記：Schottky barrier
金属と半導体を接触させると界面にできる障壁をショットキバリアと呼ぶ。この障壁のため電気特性は整流性をもつ。n型半導体/金属接触では半導体側が負電圧で順方向、p型半導体では半導体側が正電圧で順方向となる。電流電圧特性は熱電子放出理論により、J＝A･(m*/m₀)･
T₂･exp(qfBn/kT)･{exp(qV/nkT)ー1}で表わされる。 ここで、J は電流密度、Aはリチャードソン定数、m*は電子の有効質量、m₀は自由電子質量、T は絶対温度、q は電子電荷、fBnは電子に対するショットキ障壁、ｎは理想因子、ｋはボルツマン定数、Ｖは電圧をそれぞれ表わす。
p型半導体の場合正孔に対するショットキ障壁fBpを用いる。障壁の高さは理論的には金属の仕事関数と半導体の電子親和力の差で決まるが、実際には金属のフェルミ準位が半導体表面のバンドギャップの位置にピンニングされて決まる。
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