半導体用語集
ショット雑音
英語表記：Shot noise
<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="793" style="width: 594pt;"><tbody><tr height="141" style="mso-height-source:userset;height:105.95pt">
<td height="141" class="xl65" width="793" style="height:105.95pt;width:594pt">電流がポテンシャルに差のある領域を横切る時，電流を運ぶ電荷が粒子であるため，雑音を生じる。半導体ではpn接合ダイオードやバイポーラトランジスタにおいて顕著である。周波数によらす一定で，次の式で表わされる。<br>
ここで，ｑは素電荷1.602×10<sup>－9</sup>C，Ｉは電流値である。<br>
したがって，MOS集積回路ではショット雑音はほとんど考慮する必要はないが，MOS集積回路に搭載されるバンドギャップリファレンスはダイオードもしくは弱反転のMOSトランジスタを利用していて，このような場合には考慮する必要がある。ただし多くの場合，電流はかなり小さい動作条件で動作させるので，熱雑音と1/f雑音が支配的であることが多い。</td></tr></tbody></table>
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