半導体用語集
ディッシング
英語表記：dishing
半導体製造プロセスのCMPにおいて、研磨中に金属と絶縁膜のように研磨速度差がある2種の薄膜が表出するダマシン配線や、シャロートレンチ素子分離（STI）を形成する工程で見られる現象。ダマシン配線では、金属配線の中央が薄くなってしまう現象をいう。シャロートレンチ素子分離では、トレンチ領域の絶縁膜の中央が薄くなってしまう現象をいう。特に、ダマシン配線の形成では配線断面積の減少につながるため、ディッシング量のコントロールが重要となる。ダマシン配線では、配線の両端にある層間絶縁膜が配線金属より硬いため、研磨パッドにたわみが生じ配線金属中央に生じる。シャロートレンチ素子分離では、分離領域の両端にある活性領域上のストッパー膜（通常は、窒化膜）が酸化膜より研磨されにくいため研磨パッドにたわみが生じ、分離領域の酸化膜を研磨してしまうために生じる。ディッシングの量は、配線や分離溝の幅や研磨パッドの力学的性質、スラリーの性質、研磨条件、オーバーポリシング量などに支配される。
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