半導体用語集
デザインルール
英語表記：design rule
デザインルール（設計ルール）は、最小加工寸法をもって示す製造プロセス技術のレベルの総称である。デザインルールは、半導体の微細化レベルを決定する最大要索である。通常は、トランジスタのゲート長（あるいはチャネル長）が何ミクロンであるかによって表わす。ただし、ゲート長には、二通りの定義がある。具体的には、物理的なゲート長（描画ゲート長）をもってデザインルールとするケースと、電圧を加えた時の電気的なゲート長（実効ゲート長）をもってデザインルールとするケースである。理屈上、実効ゲート長は、描画ゲート長より短い。半導体メーカーの間で、デザインルールの定義は必ずしも一律ではないが、より製造プロセス技術で他社に先行していることをアピールしようとする傾向があり、実効ゲート長をもって、デザインルールとするケースがやや増えているようである。
なお、DRAMの世代交代を例に、デザインルールの過去の推移を示すとおおよそ次のとおりである。1M DRAMでは1.0～0.8µm、4M DRAMは0.8～0.5µm、16M DRAMは0.5～0.35µm、64M DRAM 0.25～O.l8µmというように変化している。このように一つの同じ集積度のチップで、複数のデザインルールを使うことがより一般的になっている。
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