半導体用語集
バリアメタル
英語表記：barrier metal
半導体デバイスの配線構造において、配線金属がバルクや層間膜中に拡散して、デバイス性能が劣化することを防ぐために用いられる高融点金属膜のことをいう。配線金属を堆積したのちフォトレジストで配線パターンを形成し、それをマスクにしてエッチングする製造プロセスの場合にはTiやTiNが用いられている。銅のダマシン配線においてはTaやTaNが主流であるが、TiNも使われる。高融点金属の堆積方法は、これまでスパッタ技術が用いられてきたが、微細化が進みビアや配線溝のアスペクト比が高くなると、スパッタ粒子の指向性をより高めたロングスロースパッタリング法やIMP（Ion Metal Plasma）法が用いられるようになった。ダマシンのCMPでは、銅の研磨で用いるスラリーで、TaやTaN膜も研磨することは難しいため、銅研磨後に別のスラリーを用いる2ステップ研磨が主流となっている。
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