半導体用語集
マグネトロンスパッタ
英語表記：magnetron sputter
高周波スパッタリング法は堆積速度が遅く，電子衝撃によって基板温度が上昇するという欠点がある。そこで，ターゲット面に平行な磁界を発生ざせ，捕獲した二次電子を利用してイオン化を促進し，堆積速度を上げるマグネトロンスパッタ法が開発された。この方法は低温・高速スパッタ法とも呼ばれ，薄膜形成法の主役となっている。最も簡単な構成として，ターゲットを円板状とし，その裏面に磁石を装着した構造のものがあり，この場合，磁カ線がNからSへ終端する途中で必ずターゲット表面に平行な磁界成分がある。陰極表面からたたき出された二次電子は，ローレンツ力によってE×B方向に閉じた軌跡を描く。このように，磁場の影響で電子の寿命が長くなり，低い圧力でも大電流密度放電が可能となり，スパッタリング速度を著しく速くすることができる。金属では，数μm/時程度の膜堆積速度は容易にえられる。しかし電子をトラップするのに必要なターゲット表面に平行な磁カ線は全漏洩磁カ線のごく一部で，ターゲット面から垂直に出ている中心部と周辺部は浸食されず，ターゲットの有効利用率はせいぜい30%と非常に悪いという欠点がある。
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