半導体用語集
マスクバイアス
英語表記：mask bias
転写したレジストパターンの寸法が設計寸法になるように、マスクパターンの寸法を変更すること。たとえば、半導体デバイスの配線などのラインパターンを形成する場合、光近接効果の影響によりランダムに配置されているラインのレジストパターンの線幅が設計値と合わなくなる。その線幅の設計値からのすれを補償するために、マスク上でパターン線幅にマスクバイアスを加えて近接効果補正を行う(詳細は 光近接効果」の項および「近接効果正」の項参照)。 ハ一フトーンマスクを用いてホールバターンを形成する場合には、マスクバイアスを加えるこによって、サイドローブの影響を抑しかっ焦点深度を向上させる効果がる。
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