半導体用語集
近接効果補正
英語表記：Optical Proximity Correction : OPC
目標とする転写パターンをレジスト上に正確に形成するために、マスク上のパターンの形を選択的に変更する方法である。たとえば、半導体デバイスの配線などのラインパターンを形成する場合、光近接効果の影響によりランダムに配置されているラインのレジストパターンの線幅が設計値と合わなくなる。その線幅の設計値からのずれを補償するために、マスク上でパターン線幅にマスクバイアスを加えて近接効果補正を行う。また、光近接効果によりラインの先端部におけるレジストパターンが設計よりも後退するか、もしくはコーナラウンディングが生じる。このような近接効果を補正するために、マスク上でラインの先端に微小な図形（シェリフ、ハンマヘッド）を付加して補正する方法がある。シェリフパターンは、ラインの先端部コーナに角状の微小図形を付加するタイプである。ハンマヘッドは、名前のとおりライン先端部にハンマヘッド形状の微小図形を付加するタイプである。同様に、L字型ラインのコーナにおいても、シェリフパターンを付加することによりコーナラウンディングを軽減することができる。
以上述べた近接効果補正を半自動的に行う方法としては、シミュレーショ ンべースと、ルールべースの近接効果補正がある。シミュレーションべースは、補正前のマスクパターンレイアウトにおける光学像を計算し、パターン寸法が設計からずれている箇所を検出し、検出された部分を補正する方法である。ルールべースは、マスクバイアスなどの補正を決められたルールに従って行う方法である。シミュレーションべースは、補正の精度は高いが処理時間が非常に長くなるという欠点がある。一方、ルールべースは、補正精度は若千低いが処理速度が速いという特徴がある。実際には、補正精度と処理速度を両立させるために、シミュレーションべースとルールベースを組み合わせて近接効果補正を行うことも検討されている。
以上述べたように、近接効果補正を行うことにより半導体デバイスのレジストパターンの寸法精度は高くなるが、マスク製造上の各種問題点がある。第一に、シェリフパターンのように主パターンよりもかなり小さいパターンをマスク上に形成しなければならず、より高解像度のマスク描画技術が必要になる。第二に、補正後のマスクには微小図形が多数含まれているので、パターン欠陥検査が困難になる。
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