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半導体用語集

レジスト現像処理装置

英語表記：resist developer

レジスト現像処理装置とは、レジストパターニング処理の中でパターニング露光に引き続いて、レジストを現像する装置であり、一般的には装置構成上、レジスト塗布処理装置と一体の形態をとる。
＜レジスト現像処理装置を構成するウェハ処理モジュールと処理フロー>
(1)現像前べーク:ホットプレートオープン(図1 )
PEBとも呼ばれる。パターン露光されたウェハは、インタフェースユニットを介して、露光装置からレジスト処理装置へ搬送される。
パターニング露光直後に行われるべーキング処理で、定在波の影響によるパターン変形を軽減するために行われる。単色光でパターニング露光した場合、定在波が顕著に現われ干渉縞と呼ばれるレジストパターン側壁の変形が起こる。定在波による露光領域のムラを加熱によって分散させる役目を果たす。化学増幅型レジストのパターニング露光後の触媒反応促進の目的でも行われ、加熱履歴の管理が必要なレジストもあるため、ホットプレートとクーリングプレートを合体させたものもある。
(2)レジスト現像：レジストデベロッパ(図2)
レジスト塗布処理装置と同様、大きく、スピンチャック、スピンカップ、現像液供給系の三つの機能で構成されている。真空吸着にてスピンチャック上に支持されたウェハ上に現像ノズルから温度制御された現像液がウェハ全面に吐出される。一般的には、パドル現像と呼ばれる現像液の表面張力を利用した現像手法が用いられ、ウェハ上に現像液が盛られた状態で静止し、30～60秒間保持される。
噴霧状の現像液をウェハ上に散布するスプレー現像と呼はれる手法もある。
レジスト材科、寸法制御手法によって、界面活性剤の有無やアルカリ濃度など、現像液の使い分けされる場合があるため、現像液供給系は、複数系設置できる構造を取っている。
現像終了後は、即座にリンス工程へと移行される。独立して設けられた吐出ノズルからリンス液(純水)がウェハ全に供給されウェハを回転させながら10～20秒間リンス液の供給が続けられる。リンス処理後は、高速回転により、ウェハ上の水分は振り切り除去される。
レジスト塗布処理装置と同様に、ウェハ裏面に付着した汚染物はバックリンスによって除去される。
(3)ハードベーク:ホットプレートオープン
工ッチング耐性改善のために、現像後にウェハ上に付着した微量の水分を除去することと、レジストパターンを焼き絞める目的で行われる。モジュールの構造は、他工程で用いられるホットプレートオープンと同様である。

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