半導体用語集
二重るつぼ法
英語表記：double crucible method
CZ法の欠点である偏析現象による結晶軸方向の抵抗率の変化を小さくする目的のために、石英ガラス製るつぼを二重にし、内側のるつぼから結晶を引き上げる方法。引き上げた結晶の量に応じて、融液内のドーパント濃度が変化するため、外側のるつぼからノンドープの融液を供給し、ドーパント濃度を一定に保つことにより、結晶の抵抗率を均一にできる。欠点として引き上げ途中に結晶が有転位化しても再溶融できないことがあげられる。
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