半導体用語集
二重るつぼ法
英語表記：double crucible method
二重るつぼ法は、壁に穴を設けた内るつぼと融液全体を保持する外るつぼの二重構造のるつぼから単結晶を引き上げる方法である。連続チャージ法と異なる点は、外るつぼには初期チャージ以外には原料の補給は行わず、バッチ引き上げとなる。本引き上げ法の目的は、結晶成長軸方向のドーパント濃度の均一化である。内るつぼに設けられた穴を通じて、外るつぼからシリコン融液が供給されることで、内るつぼ内の偏析現象によって生じる融液中のドーパント濃度上昇を制御し、濃度の均一化を図る。図1は、二重るつぼの一例として、浮遊構造の概念図を示す。h≪Hの段階では、内るつぼ内のドーパント濃度を一定に制御することができるが、固化が進んで融液量が減少し、h≒Hになると通常の偏析による濃度上昇が始まる。この方法は、石英るつぼとシリコン融液の接触面積が大きいことから、酸素の融液への溶出量が多くなり、また、内るつぼと結晶が接近していることもあり、結晶中の酸素濃度を低く制御することが難しい。また、引き上げ途中で転位が発生した場合のメルトバック（再溶融）は、抵抗率が狙い値からずれてしまう問題がある。
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