半導体用語集
光近接効果
英語表記：optical proximity effect
光学的近接効果によって、設計パターンに対して忠実にレジストパターンを形成することが困難になることがある。たとえば、種々のラインパターンを同一露光量で形成した場合、パターンが配列されているレイアウトの違いによってレジストパターンの寸法変動が生じる。レジストパターンの寸法は、配列されているラインパターンのピッチに大きく依存している。解像限界に近い寸法のラインパターンでは、一般的に密集したラインパターンにくらべて孤立したラインパターン(近接したパターンが存在しない場合)の方がパターン寸法が小さく形成される。特に、 MPUなどのロジックデバイスのパターンでは、密集ラインパターンおよび孤立ラインを含むランダムなパターンを設計寸法どおりに高精度に形成しなければならないので、マスクパターンにバイアスを加えるなどの近接効果補正が必要とされる。また、光近接効果によってラインパターンの短辺方向の幅が設計寸法どおりに形成されても、長辺方向の寸法が設計どおりに形成されない場合がある。あるいは、L字型のラインパターンが存在する場合には、光近接効果によりレジストパターンのコーナ部が丸く形成されてしまう。以上述べた光近接効果による影響は、各種の近接効果補正の手法を用いて補正することができる (「近接効果補正」の項参照)。
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