半導体用語集
共鳴トンネルダイオード
英語表記：resonance tunnel diode
電子あるいは正孔がトンネル効果により、ポテンシャル障壁を通過する時、通過先での電子あるいは正孔が占有できる準位がサイズ効果により量子化されていると、トンネル確率が、入射する電子や正孔のエネルギーと量子準位と一致する時に、共鳴的に増加する効果。典型的な例としては、1975年、L. L. Changらにより、超薄膜（～10Å）の二層のAlGaAs層をGaAs層内に作りこんだGaAs/AlGaAs/GaAs/ AlGaAs/GaAs二重障壁構造が実現され、この共鳴トンネル効果が実験的に観測された。共鳴トンネル効果が観測される二端子の素子を共鳴トンネルダイオードと呼び、負性微分抵抗特性がえられる。高速性にも優れ、テラヘルツ領域での発振器や、通常のトランジスタと組み合わせた集積回路に使用されている。
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