半導体用語集
反応性イオンエッチング装置
英語表記：reactive 10n etching equil)ment
一般的に二つの円盤状の電極を真空容器内に平行に配置している。その間に反応性ガスを導入し、一方の電極にプロッキングコンデンサを介して高周波電力を印加し、他方の電極を接地させ電極間にプラズマを発生させる。この方式では高周波印加電極の表面は直流的にバイアスされる。この電圧を自己バイアス電圧(Vdc)と呼ぶ。通常自己バイアスは数100 V以上と大きく、電圧により加速されたプラズマ中の正イオンがウェハに直接入射する。このイオン衝撃を利用し異方性に加工を行う。
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