半導体用語集
固相反応
英語表記：solid phase reaction
固体と固体とを接触させた系に対し熱処理を加えて、一方の固体を構成する原子を他方の固体へと拡散させることで行う化学反応。サリサイド技術における金属シリサイド形成反応は、半導体製造で用いられる代表的な固相反応である。金属シリサイドの形成機構は、反応律速機構と拡散律速機構とに大別できる。前者は、金属原子とシリコン原子の化学反応の速度がシリサイド層の成長を律速する機構であり、通常、形成されるシリサイド層の反応量は反応時間に比例する。一方後者は、すでに形成されたシリサイド層中で、金属原子またはシリコン原子が拡散する速度がシリサイド層の成長を律速する機構である。この場合、シリサイド層の反応量は反応時間の平方根に比例する。固相反応で形成されるシリサイド層は、一般に熱処理温度が低温である場合は、金属の組成比が大きく、金属結合性が強い。熱処理温度が高温になるほど、シリコンの組成比が大きな相へと移行し、結合は共有結合性を増していく傾向を持つ。
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