半導体用語集
シリサイド
英語表記：silicide
シリコン(Si)と高融点金属、遷移金属、貴金属を高温で反応させると抵抗率が低く、耐熱性、耐酸化生のあるシリサイドが形成される。MOSトランジスタの微細化に伴いポリシリコンゲート電極の抵抗が間題となり、より抵抗の小さい材料が必要となるが、純金属は抵抗値は小さいが酸化性雰囲気に弱いため、耐熱性、耐酸化性に優れたシリサイドが実用化された。代表的なシリサイドとして、タングステンシリサイド(WSi2)、モリプデンシリサイド(MoSi2)、タンタルシリサイド (TaSi2)、チタンシリサイ(TiSi2)、コバルトシリサイド(CoSi2)、 ニッケルシリサイド(NiSi2)、白金シリサイド(PtSi2)などがある。WSi2の熱膨張係数は約6ppm/℃と大きいため、シリサイド膜中に引っ張り応力が発生する。シリサイドの形成方法には金属 とSiを混合プレスしたターゲットによるシリサイドスパッタ法,金属を Si上にスパッタ法で堆積した後に熱処理して反応させ合金化する固相反応方法、およびCVD（Chemical Vapor Deposition）法がある。
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