シリサイド（silicide） | 半導体用語集 |半導体/MEMS/ディスプレイのWEBEXHIBITION（WEB展示会）による製品・サービスのマッチングサービス SEMI-NET（セミネット）

半導体用語集

シリサイド

英語表記：silicide

　金属（M）とシリコン（Si）との化合物。LSIでは、高融点金属のシリサイド（MoSi₂、WSi₂、TiSi₂など）や準貴金属のシリサイド（CoSi₂、NiSi、PtSiなど）が使用される。シリサイドの形成法は、熱処理により生じる金属とシリコン間のシリサイド反応を利用する方法と、ある組成を持ったシリサイド膜をスパッタ法やCVD法で直接堆積する方法があり、前者はサリサイドやコンタクト電極形成の用途に、後者はポリサイドゲートや高耐熱配線形成の用途で主に用いられる。
表1に代表的な金属のシリサイドの性質をまとめる。シリサイドは、(1)ポリシリコンと比較して1桁程度比抵抗が低い、(2)耐熱性が比較的高い（特に高融点金属のシリサイド）、(3)耐薬品性、耐酸化性に比較的優れる、などの優れた特徴を有しており、製造プロセスとの整合性が高いため、LSIの下層レベルの配線やトランジスタのゲートやソース･ドレインの低抵抗化を目的として広く使用されている。また、シリサイド反応で形成したシリサイドと下層シリコンとの間では、自然酸化膜の影響を受けない良好な界面がえられる場合が多いため、TiSi₂やPtSiなどはシリコンとのオーミック電極としても実用化されている。