半導体用語集
多結晶シリコン
英語表記：polycrystalline silicon
<p>単結晶粒の集合したブロックまたは層状のシリコンのことをいう。単結品シリコン基板製造のための原料と、MOSトランジスタのゲート電極などに使用されるCVD法により形成された多結晶シリコン膜の二つの意味がある。エッチングプロセスで特に関連するのはゲート電極材科としての多結晶シリコンである。</p><p>シリコンゲート MOSFETでは多結晶シリコンゲート層形成後にソース・ドレイン拡散を行うため、ゲート酸化膜の下側領域でのヒ素、リンなどの不純物濃度分布の制御が容易で、ゲート酸化膜の薄膜化に対応できる技術である。また、ソース・ドレインとゲート電極への不純物のドーピングを同時に行うことにより、MOSFETの微細化に対応した技術となる。</p><p>このゲート電極の場合、電極の寸法がチャネル長を決めるため、多結晶シリコン膜のエッチングには高精度な寸法制御が必要となる。また、下地ゲート酸化膜に対しては、ゲート酸化膜が薄くなればなるほど高選択エッチングが必要となる。 </p>
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