半導体用語集
MCZ法
英語表記：Magnetic Field Applied CZ法
シリコン単結晶の大直径化が進むにつれてCZ法による単結晶の成長は、結晶直系の2～3倍の直径をもつ石英ルツボを使用し多量の多結晶シリコンが溶解される。そのため単結晶が大直径化するほど溶融液量が増し対流が強くなる。その結果溶融液温度の安定化を阻害し良質の単結晶化が難しくなる。また、使用する石英ルツボの大型化により、単結晶中に取り込まれる酸素濃度が増加するので、融液の対流制御が重要になる。結晶引上げ装置の周囲に磁場発生装置（超電導磁石）を配置するなどのほかいくつかの磁場印加方法がある。シリコン単結晶の成長には数百～数千ガウスの磁場強度が必要となる。
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