半導体用語集
捕獲準位
英語表記：trap level
半導体中の不純物や欠陥の中には禁制帯内にエネルギー準位を形成するものがある。 それらのエネルギー準位の中で、特にエネルギー位置がバンド端から比較的離れた深い準位にキャリアか捕獲 (trap) されると、バンド端へのキャリアの再放出に必要なエネルギーが大きいために、低温ではキャリアの再放出率が低く、キャリアがこの準位に滞在したままとなる。 このような準位を捕獲準位という。 捕度準位の中でも電子を捕獲するのを電子捕穫準位と呼ぶ。 禁制帯の中央近傍に位置する準位は電子と正孔の両方を捕獲し、再結合中心として働く。
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