半導体用語集
接合深さ
英語表記：junction depth
MOSトランジスタのソース、ドレインやバイポーラトランジスタのエミッタ、ベース、コレクタのように、半導体素子では必ずといってよいほどその内部にpn接合が形成されている。そのpn接合の半導体表面から冶金学的な接合境界までの深さを接合深さと呼んでいる。MOSトランジスタではソース、ドレインの接合深さが短チャネル効果と大きな関わりをもっている。短チャネル効果を抑制するためにはソース、ドレインの接合深さをできるだけ浅くする必要がある。接合深さを浅くすると、接合を形成する拡散層の抵抗は上がる傾向にある。そのため、低抵抗の浅い接合をいかに形成するかが、素子を微細化する際の大きな課題となる。
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