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半導体用語集

有機物汚染

英語表記：organic contamination

<p>洗浄工程において、ウェハ表面に粒子状、あるいは膜状に付着している有機物は洗浄溶液とウェハ表面の接触を妨げるので、ウェハ全面における均一な洗浄やエッチングなどを阻害する。また洗浄工程以外においても、たとえば非酸化性雰囲気中で有機物が付着しているウェハを熱処理した場合、炭化シリコン (SiC) が表面に生成され、これは通常の洗浄方法では除去することができない。以上のようなことが原因となり、結果としてパターン欠陥やゲート絶縁膜耐圧不良、 リーク電流の増大などの悪影響を及ぼし、歩留りを低下させることが明らかにされつつある。</p><p>有機物の汚染源としては露光工程で用いるフォトレジスト、フォトレジストの現像液、 界面活性剤を含む溶液、イソプロピルアルコール (IPA) 蒸気乾燥などが考えられるが、クリーンルーム中に放置しておいても有機物 (主として炭化水素物)は付着する。また脱ガスするような有機材科でできている容器にウェハを保管すると表面は有機汚染に曝されるので、このような容器を作製する場合には材質をよく吟味しなければならない。</p><p>洗浄工程においては、前述のような理由で、最初にウェハ表面に付着している有機汚染物を除去しなければ、洗浄溶液の能力が発揮されない可能性がある。通常有機物を除去するために硫酸過酸化水素水混合溶液が用いられる。しかしこの洗浄溶液は多量の薬液を消費するため、その廃液処理なども含めればコスト的、あるいは環境への配慮の面においても問題があると認識されてきている。したがって、この溶液はレジスト剥離などの有機物の付着が著しい場合にのみ用いられる。</p><p>代替技術としてメガソニックを印加しながら行うSC1処理があげられる。SCIは酸化剤か 含まれていることから、表面の有機汚染物を酸化分解することである程度除去でき,またシリコンやシリコン酸化 膜をわずかにエッチングすることから、リフトオフ効果やメガソニック印加による高圧の音波振動により、その除去率を向上させることができる。また強力な酸化剤による分解除去法としてオゾン水を用いることが提案されている。これは酸化遠元電位が硫酸過酸化水素混合溶液よりも高い強力な酸化剤であるので、容易に有機汚染物を分解除去することが可能である。さらにこのオゾン水にメガソニックを印加してより洗浄能力を高めることができることが明らかにされている。</p>

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