半導体用語集
減圧CVD装置
英語表記：low pressure CVD system
薄膜形成を行う際に、その反応室の雰囲気を真空ポンプを用いて減圧（低圧）状態に保って成膜するCVD装置を指す。雰囲気は常圧に近いレベルから10⁻⁶ torr近傍の高真空レベルまで広く使用されている。常圧CVDにくらべて、比較的ウェハ上への成膜速度が制御しやすく、これにより薄膜が均ーに形成できる特徴を持っている。
減圧CVD装置はLSI製造工程において、主にpoly-Si膜形成、シリコン酸化膜形成、シリコン窒化膜形成などの薄膜形成を中心に幅広く使用されている。その技術トレンドも半導体の微細化、高速化などの技術ニーズを実現するために、成膜温度の低温下や微小パーティクルの低減、新材料の採用などのニーズに合わせて、各種技術開発が進んでいる。
成膜材料技術においても、たとえばトランジスタ形成においてキャパシタ・ストレージノードやゲート電極などにp型やn型の性質を持たせるた
めのキャリアをドーピングしたdoped poly-Siが使用されているが、最近はキャリアソースにも従来のPH₃などの他に、AsH₃など様々なソースが使用されるなど、新しい技術開発が進んできている。
このCVD装置の応用範囲は非常に広く、その膜厚均一性能の高さから非常に広い範囲で使用されている。従来からバッチ式が、その生産性の高さとカバレッジ性能のよさから使用されているが、近年、枚葉式装置も改良が加えられてきており、徐々にその用途を広げてきている。
関連製品
「減圧CVD装置」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
