半導体用語集
窒化ホウ素
英語表記：Boron Nitride : BN
立方晶窒化ホウ素c-BNは閃亜鉛鉱構造を持ち，格子定数は0.3615nmである。BNの室温での安定相は六方晶であり，立方晶は高圧安定相である。バンドギャップは間接遷移型で6.2～6.4eVという大きな値を持つので，c-BNはドープしない限り絶縁体である。ダイヤモンドに次ぐ大きな硬度と高い熱伝導性を持つ。融点は 3,200℃以上で，融液からの成長は不可能に近いので，結晶成長は高圧下の溶液成長によって行われている。成長条件は1,500℃，5万気圧である。溶媒としては，Li₃BN₂などが用いられる。不純物としてべリリウム（Be）を添加するとp型，ケイ素Siを添加するとn型になる。pn接合はp型種結晶の上にn型結晶を高圧下での温度差法で成長することによってえられる。650℃という高温下でもよい整流性を示し，耐環境材料として優れている。このpn接合ダイオードはLEDとして動作し，紫外から可視短波にかけて幅の広い発光スペクトルを示す。
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