半導体用語集
チョクラルスキー法
英語表記：Czochralski
結晶の素材を、グラファイト、石英、窒化ホウ素、白金製などのるつぼに入れ、抵抗加熱または高周波誘電加熱などによって、材料を溶かして融点より少し高い温度に保っておき、それに単結晶の種子結晶をひたして十分になじませたのち、ゆっくり引上げて種子結晶の方位配列をもった大きな円柱状の単結晶を成長する方法。成長した結晶は容器と接触しないので、機械適応力を受けることなく比較的良質なものが考えられる。
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