半導体用語集
薄膜化
英語表記：approach for thin film
DRAMの場合、高集積化が進んでセル面積が小さくなっても、キャパシタの容量は小さくできない。アルファ線によるソフトエラー回避のためには 20 fF/cell以上の容量が必要となる。そのためキャパシタ構造の立体化、誘電体の比誘電率向上に加え誘電体膜の薄膜化もその対策の一つである。しかし、薄膜化していくと比誘電率の低下やリーク電流の増大などが起こり限界がある。成膜技術の向上により膜質改善しさらに薄膜化していくことが要求される。また、携帯機器の普及などにより電気製品のシステム低消費電力化が加速している。DRAMや強誘電体メモリも低電圧化が要求されている。そのためにも誘電体膜の薄膜化は必頁条件となる。
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