半導体用語集
選択性
英語表記：selectivity
エッチングの過程において、マスクであるレジストや下地材料に対するエッチング速度の比を選択比という。エッチング加工後の寸法精度はレジストマスクとの選択性に依存し、選択比が高いはうがレジストの後退がないため寸法精度も向上する。下地材料に対する選択性もきわめて重要である。たとえば多結晶シリコンなどのゲート電極材科をエッチングする場合、膜厚やエッチング速度のバラツキを吸収するためや段差上のエッチング残りを除去するため、オーバエッチングが必要となる。この時、薄いゲート酸化膜はプラズマに照射されるためエッチングされる。もし、オーバエッチング中にゲート酸化膜なくなってしまうと、シリコン基板が露出しダメージが生じるためトランジスタの形成は難しい。そこで、いかにゲート酸化膜のエッチング速度を多結晶シリコンにくらべて低くするかが重要である。選択性を向上させるために、入射するイオンエネルギーを低下させる方法や、ゲート酸化膜表面に堆積膜を生じさせて保護するなどの方法が試みられている。
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