半導体用語集
還元性
英語表記：deoxidization
高誘電率材科や強誘電体材料は主に酸化物である。そのため少なからす遠元雰囲気に曝すと還元されて特性劣化を引き起こす。PZTやSBTのような結晶性の材料は結晶の乱れを引き起こし劣化が著しい。PZTやSBTの強誘電体メモリ材料は、酸素の離脱工ネルギーの低いPbやBiを含むため特に劣化が激しい。電極材料によっても違いが現われる。Ptなどの遠元触媒作用が大きな電極を用いると強誘電体薄膜の遠元がさらに促進されて劣化がより大きくなる。強誘電体メモリにおいてキャパシタ形成後に遠元雰囲気となる工程としては絶縁層間膜形成、保護膜形成、Wプラグ形成、シンタなどがある。防御策としては、まず後の工程の遠元雰囲気を極力和らげることである。しかし、LSIを作り込むに当たっては、ある程度の遠元雰囲気は避けられない。そのためキャパシタを遠元雰囲気から守る手段が必要となる。遠元触媒性の強い電極材料は避ける、Ir系電極のような遠元性のバリアになる上部電極を用いる、Ti02などの絶縁物による保護レイヤを設けるなどが考えられる。
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