半導体用語集
ESD
英語表記：Electro-Static Discharge, Electro-Static Destroy
静電気による放電現象あるいはそれによる破壊現象を呼ぶ。ESDは信頼性の面だけでなく，製造工程中でも重要な問題ではあるが，ここでは信頼性の問題に限定して説明する。
静電気に対する耐性を試験するために1970年代後半までは，各半導体メーカーが個別に，実際に人体に数千ボルトもの電圧で電荷を帯電させたり，コンデンサに帯電させたりして，現実の静電破壊をシミュレートすることが行われていた。1980年頃に以下に示すシミュレーションモデルが提案されてからは，統一的なモデルでの試験が行われるようになってきた。
静電気による半導体デバイスの破壊をシミュレートするモデルは大きく三つに分類される。
（1）マシンモデル：機械のフレームのような金属部が帯電し，そこに半導体デバイスの端子が接触する場合をシミュレートする。電気容量200pFに帯電させ，直列抵抗は0Ωで放電させる。
（2）人体モデル：人体が帯電し，そこに半導体デバイスの端子が接触する場合をシミュレートする。電気容量100pFに帯電させ，直列に1.5kΩの抵抗を入れて放電させる。
（3）デバイス帯電モデル：半導体デバイスが帯電し，それが放電する場合をシミュレートする。半導体デバイスの端子が帯電する場合をCDM（Charged Device Model)，パッケージの表面が帯電する場合をCPM（Charged Package Model）と呼んでいる。
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