半導体用語集
ESD
英語表記:Electro-Static Discharge, Electro-Static Destroy
静電気による放電現象あるいはそれによる破壊現象を呼ぶ。ESDは信頼性の面だけでなく,製造工程中でも重要な問題ではあるが,ここでは信頼性の問題に限定して説明する。
静電気に対する耐性を試験するために1970年代後半までは,各半導体メーカーが個別に,実際に人体に数千ボルトもの電圧で電荷を帯電させたり,コンデンサに帯電させたりして,現実の静電破壊をシミュレートすることが行われていた。1980年頃に以下に示すシミュレーションモデルが提案されてからは,統一的なモデルでの試験が行われるようになってきた。
静電気による半導体デバイスの破壊をシミュレートするモデルは大きく三つに分類される。
(1)マシンモデル:機械のフレームのような金属部が帯電し,そこに半導体デバイスの端子が接触する場合をシミュレートする。電気容量200pFに帯電させ,直列抵抗は0Ωで放電させる。
(2)人体モデル:人体が帯電し,そこに半導体デバイスの端子が接触する場合をシミュレートする。電気容量100pFに帯電させ,直列に1.5kΩの抵抗を入れて放電させる。
(3)デバイス帯電モデル:半導体デバイスが帯電し,それが放電する場合をシミュレートする。半導体デバイスの端子が帯電する場合をCDM(Charged Device Model),パッケージの表面が帯電する場合をCPM(Charged Package Model)と呼んでいる。
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