Siアイランド（Si island） | 半導体用語集 |半導体/MEMS/ディスプレイのWEBEXHIBITION（WEB展示会）による製品・サービスのマッチングサービス SEMI-NET（セミネット）

半導体用語集

Siアイランド

英語表記：Si island

　SIMOX法でSOI基板を作製する場合、イオン注入した酸素を高温熱処理で基板Siと反応させ埋め込み酸化膜を形成する。連続した埋め込み酸化膜が形成される～1×10¹⁸ cm⁻² 以上のドーズ量でも酸素と基板Siの反応が不完全になり、埋め込み酸化膜中にSiが島状に孤立して残ることがあり、Siアイランドと呼ばれる。Siアイランドは導電性を持ち、埋め込み酸化膜の絶縁耐圧を劣化させる。
　酸化性物質の酸化膜中拡散係数が小さいためITOX法でもSiアイランドを減少することはできず、Siアイランドの低減には酸素イオンのドーズ量を下げることが有効である。ドーズウィンドウ（4.0±0.5×10¹⁷ cm⁻²）付近では～1×10¹⁸ cm⁻² より大幅にSiアイランドが低減するとの報告がある。単にドーズ量を減少した場合には埋め込み酸化膜のピンホールが増加するがITOX法の採用で減少でき、ドーズウィンドウとITOXを組み合わせることが埋め込み酸化膜の絶縁特性を高めるうえで有効である。