半導体用語集
ITOX
英語表記：internal thermal oxidation
SIMOX法でSOI基板を製造する場合、酸素イオン注入後に埋め込み酸化膜層を形成するための高温熱処理を行うが、この後に高温で酸化し薄膜Si層表面だけでなく埋め込み酸化膜をさらに酸化することをITOX（図1）と呼ぶ。
酸素イオン注入時に基板表面にダストがあると、この部分は酸素がイオン注入されないため埋め込み酸化膜にピンホールが形成される。また、ドーズ量によっては高温熱処理後埋め込み酸化膜中にSiO₂にならないSiが残留しSiアイランドが形成される。これらは埋め込み酸化膜の絶縁不良の原因になる。高温熱処理後にさらに酸化性雰囲気で熱酸化を行うと薄膜Si層を拡散した酸素原子などの酸化性物質が埋め込み酸化膜を酸化するため、ピンホール内のSiが酸化されピンホールが減少する。ITOX法では埋め込み酸化膜のピンホールは低減するが、酸化性物質の酸化膜中の拡散係数が小さいためSiアイランドの低減には有効ではない。
ITOXでは基板表面から酸化性物質が拡散し埋め込み酸化膜を酸化するため、埋め込み酸化膜の酸化速度は基板表面より大幅に低下する。また、ITOXにより薄膜Si層が消費されるため薄膜Si層の膜厚は減少する。このため、酸素イオン注入条件はITOXによる膜厚減少分を見込む必要がある。
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