半導体用語集
LOCOS
英語表記：local oxidation of silicon
半導体デバイスを形成する際の代表的素子分離法。窒化膜で酸化防止マスクされた部分以外のシリコン基板を酸化し、この酸化膜の層によって周囲から電気的に絶縁された領域（活性領域）を作る方法である。この活性領域に作り込まれる素子をそれぞれ独立単位として機能させる役割を持つ。Local Oxidation of Siliconの略称でLOCOSと呼ばれる。LOCOS酸化の際には横方向にも酸化が進むので、窒化膜マスクの下にもバーズピークと呼ばれる酸化膜が形成されて、素子分離領域にマスクに対する寸法変換差が生じるため、極微細加工デバイスには適用限界がある。
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