半導体用語集
素子分離用絶縁膜
英語表記：isolation dielectrics
LSIにおいて、隣接したトランジスタの動作が互いに干渉し合うことのないようにトランジスタ間を電気的に絶縁する目的で、トランジスタの周囲に形成される絶縁膜。シリコン酸化膜系の材料が主に用いられている。各トランジスタ間を電気的に絶縁する代表的な方法として、選択酸化法 (LOCOS : Local Oxidation of Silicon) と浅溝埋め込み法(STI :Shallow Trench Isolation)がある。SiLSIにおいては、これまでLOCOS 法が多く用いられてきたが、素子寸法の縮小とともに絶縁分離域の面積の縮小も強く求められるようになり、より徴細化に適したSTI法も用いられ始めている。LOCOS法においては、Si3N4をマスク材(マスク用絶縁膜)として用い、Si3N4を開口した部分に素子分離用絶縁膜として、熱酸化法によりSi02膜が形成される。Si3N4が残された部分には素子が形成される。LOCOS法を用いた場合、マスク材の下の部分にもマスクの端部から熱酸化膜が鳥のくちばし状に侵入し(bird's beakと呼ばれている)、素子分離域を広げトランジスタの形成領域を狭めている。bird's beakの発生は素子寸法の縮小とともに深刻さを増しており、この問題の解決のためにSTI法が開発された。STI法においては、素子分離領域となる部分のSi基板を工ッチングし、形成された溝部分を二酸化シリコンで充填する。溝部分の充填を行う方法として、03とTEOS (Tetra Ethoxy Silane)ガスを用いたCVD法と、高密度プラズマCVD法とが用いられている。
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