半導体用語集
酸化
英語表記：oxidation
Si基板の一部または全体を酸素と反応させてSi02を形成する技術。Siデバイスの作成において、酸化技術は、Siデバイスの基本構成要素であるゲート絶縁膜の形成を始め、不純物拡散マスク用絶縁膜イオン注入マスク用絶縁膜、素子分離用絶縁膜、キャパシタ用絶縁膜などの形成へ幅広く利用されている。そしてSiデバイスの集積化を可能としたプレーナ技術において、酸化技術は、拡散技術、フォトリソグラフィ技術とともに、最も重要な役割を果たしている。
Siデバイスに用いられる酸化膜は、Siを高温で酸化性の雰囲気で加熱することにより (熱酸化)えられる。 熱酸化法でSi基板上に酸化膜が成長する過程は、Deal-Groveモデルで説明される。 プラズマ酸化を用いると酸化の温度を常温程度まで下げられ、また電界液中での陽極酸化によっても、Si基板表面を常温で酸化することは可能であるが、ともに酸化膜中に欠陥や不純物が含まれやすく、Siデバイスに幅広く使用されるには至っていない。Siデバイスの素子寸法の縮小とともに、ゲート絶縁膜の薄膜化が必要となるが、膜厚が4nm程度以下になると、ゲート電極にドープしたホウ素が、外方拡散してSi基板に到達し、デバイス特性を変動させるようになる。ホウ素の外方拡散を阻止するために、ゲート絶緑膜に窒化酸化膜が使用され始めている。
酸化膜厚がさらに薄膜化して3nm 以下になると、ゲート絶縁膜を流れるトンネル電流が顕著になり、デバイス特性に影響を及ほすようになる。トンネル電流を抑制するために、熱窒化膜やTa205などの高誘電率絶縁膜を酸化膜の代わりに使用する試みがなされている。
関連製品
酸化アルミニウム水分センサーの市場規模、シェア、成長、メーカー 2033年
KD Market Insights Private Limited
酸化アルミニウム水分センサーの市場規模は、2033年までに27億米ドル成長すると予測されている。
技術／特許／M&A › 技術 › 半導体（素子・構造・回路など）
SiC高温酸化炉の市場規模、シェア、成長、メーカー 2033年
KD Market Insights Private Limited
SiC高温酸化炉市場は、予測期間2024-2033年に大きなCAGRで成長する見込みです。
技術／特許／M&A › 技術 › 半導体製造(プロセス、装置、材料など）
陽極酸化アルミニウムウェハーの市場規模、シェア、成長、メーカー 2033年
KD Market Insights Private Limited
陽極酸化アルミニウムウェハー市場は、予測期間2024-2033年に大きなCAGRで成長すると予想される。
技術／特許／M&A › 技術 › 半導体製造(プロセス、装置、材料など）
二酸化炭素(CO2)モニターの市場規模、シェア、成長、メーカー 2033
KD Market Insights Private Limited
グローバルな二酸化炭素(CO2)モニター 市場規模は、2033年までに21億米ドルに達すると予測されています。
技術／特許／M&A › 技術 › 半導体製造(プロセス、装置、材料など）
キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
