半導体用語集
PRAM
英語表記：Phase Change RAM
PRAM(Phase Change RAM)はMOSトランジスタのソース抵抗としてカルコゲナイド（GeSbTe）を使う。これは600℃以上に加熱すると溶融し、ゆっくり冷やすと結晶になり、速く冷やすとアモルファスになる。その抵抗値の大きな変化でデータを記憶する。書き込み速度はフラッシュの数千倍速い。加熱にはタングステンヒータなどで局所的に行う。構成が簡単、高性能なので、注目を集めている。寿命は1億回の書き込みサイクル程度。OUM（Ovonic Unifield Memory）とも言う。
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