半導体用語集
ストレージノード
英語表記：storage node
蓄積電極と接続されて同電位となっている導体部分の全体をストレージノードと呼ぶ。すなわち、蓄積電極、蓄積電極コンタクト部分、転送トランジスタのソース・ドレイン拡散層の全体である。また、ストレージノードという言葉は蓄積電極と同じ意味で使われることもある。
ストレージノードが電荷を保持するのであるから、他の部分と絶縁されなければならない。ストレージノードの拡散層部分は、シリコン基板中に形成されたウェルからpn接合によって分離される。すなわち、書き込み電荷の状態によらず逆方向バイアスになっている。また拡散層は、セルアレー中で隣接する他の拡散層とはフィールド酸化膜によって絶縁される。転送トランジスタは、電荷保持中はほぼ完全にオフしている必要がある。蓄積電極コンタクト部分はワード線やビット線など他の導体パターンからSiO₂やSi₃N₄などの絶縁膜によって絶縁される。
ストレージノードの具体的な形態と形成方法はキャパシタ構造によって様々である。
平板型キャパシタでは蓄積電極は、転送トランジスタに隣接したシリコン基板の表面に、フィールド酸化膜で囲まれた拡散層として形成される。この場合は蓄積電極コンタクトはなく、転送トランジスタのソース・ドレイン拡散層が連続して形成される。キャパシ夕誘電膜はSiO₂でシリコン表面を酸化して形成され、セルプレートとなるポリシリコンがその上に成膜される。
「トレンチキャパシタ」、「スタックドキャパシタ」については、別項に述べる。
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