半導体用語集
トレンチキャパシタ
英語表記：trench capacitor
キャパシタ面積を拡大するためにシリコン基板の深さ方向に向かったのがトレンチキャパシタである。トレンチキャパシタの構造は基本的に、シリコン基板に深い穴を掘ってその中にキャパシタを形成したものである。そして、ストレージノードとセルプレートをトレンチの中のどの位置にどの順で形成するかによって、単純トレンチ、基板プレート型などいくつかの種類がある。それぞれについては各項で説明する。
深いトレンチを掘って、内部にキャパシタを作り込む工程を終えると、その後にはほぼ通常のCMOSプロセスが続く。このため、トレンチキャパシタを用いたDRAMは高速ロジック回路との混載デバイスを構成しやすいという利点がある。スタックドキャパシタの場合はトランジスタを作ったうえにキャパシタを形成することになるため、熱処理によるトランジスタ特性変化などに対する調整が複雑になる。
一方、スタックドキャパシタでは転送トランジスタの上側の空間も利用できて横方向に大きくしやすいのにくらべて、トレンチキャパシタでは転送卜ランジスタに隣接する領域しか使えない。このためトレンチキャパシタは非常に深いトレンチを必要とする。トレンチを掘るプロセスは、非常に縦横比が高い構造のドライエッチングとなり、壁面の角度を0.1°程度の精度で制御する必要がある。そして横方向の微細化とともにさらにトレンチを深くする必要があり、0.13µmルール当たりが微細化限界になると考えられている。
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