半導体用語集
スパッタエッチング
英語表記：スパッタエッチング
化学的な反応を伴わない不活性ガスイオンのスパッタ効果で物理的にエッチングを行う方法。化学反応のアシストを伴うRIEなどにくらべ、エッチングレートは低いが表面の清浄性が高いため、メタル成膜の前処理や、表面分析装置 （XPSなど）の自然酸化膜除去、深さ方向分析時のエッチング処理に利用されている。
スパッタエッチング装置は、RF放電プラズマを利用したものと、イオン源とイオンビーム加速器を組み合わせたものに大別される。装置のコストとスパッタ量の制御性から、前者は前処理行程で、後者は分析器で使用されることが多い。
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