半導体用語集
セルプレート
英語表記：cell plate
セルプレートは、セルアレー全体にわたって連続した形の導体パターンであり、セルアレー内にある複数のキャパシタの共通電極となっている。セルプレートには、キャパシタ誘電膜にSiO₂やON膜を用いた従来からのキャパシタでは、ポリシリコンが用いられる。一方、Ta₂O₅などの高誘電体膜を用いたキャパシタでは他の金属性材料が用いられる。ポリシリコンを用いると、この膜を形成する際の還元性雰囲気によって高誘電体膜の絶縁性が損なわれるためである。
大部分のキャパシタ構造においてセルプレートは、蓄積電極を形成しキャパシタ誘電膜を被せた上にCVD法で成膜され、リソグラフィとドライエッチングによってパターニングして形成される。
セルプレートのパターンは、ビット線上にキャパシタを形成する構造のスタックキャパシタでは、セルアレー全面を覆う1枚のプレートである。その他の場合はビット線コンタクト窓を開けるなどの都合で、セルプレートにも窓が開いたパターンとする。
セルプレートには通常、アレー駆動電圧Vccの1/2の電位が与えられる。こうすることで、蓄積電極にVccと0のどちらの電位を記億させる場合もキャパシタ誘電膜にかかる電圧を最小にできて、誘電膜の膜厚を薄くすることができるためである。
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