半導体用語集
トラップ
英語表記：Trap
Trap（トラップ）は、英語で罠の事で、色々な事に使われる。半導体結晶に重金属等の不純物とか、欠陥が含まれると、禁止帯の中に電子や正孔を捕らえる深い準位のエネルギレベルが出来る。これをトラップレベル（Trap level）と呼ぶ。トラップは熱、光、電界のエネルギーにより、電子を捕獲したり、放出したりする。電子の移動度を劣化させる。又、抵抗が大きくなる。少数キャリアの寿命を小さくするので、高速スイッチング動作が必要な場合は、金、プラチナ等を導入し、ライフタイムキラーとして応用する場合がある。又、EPROM等の不揮発性メモリデバイスでもトラップを利用してデータを保存する事がある。酸化膜とシリコンの界面に於いても、電子を捕獲するトラップが出来、MOSFETの特性劣化を招く事がある。
関連製品
ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
自治体・省庁・研究機関・団体 › 応用物理学会
酸素イオン注入n 型GaN で観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
グローバルネット株式会社
名大、林 慶祐 堀田 昌宏(本件に関わる問合せ先)
自治体・省庁・研究機関・団体 › 応用物理学会
キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「トラップ」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
