半導体用語集
ヒ素
英語表記：arsenie
ヒ素は、Ⅴ族の元素で、n型の導電型を示す。ヒ素は、エピタキシャルウェハの基板結晶用として、高濃度にドーピングされるため、そのままドープ剤として使用される。偏析係数は0.3、融点は817℃（35.5気圧）、沸点は615℃、シリコンに対する固溶限界は1.8×1021/cm3（1,150℃）である。ヒ素は、きわめて有毒な物質で、100mgで中毒症状を起こし、130mgで死に至る。発火はしないが、酸や酸化剤またはハロゲンと反応し、有毒なヒュームを生成する。使用に際しては、毒物および劇物取締法、廃棄物の処理および清掃に関する法律、大気汚染防止法、水質汚濁防止法などが関連する法規であり、また消防法により届け出の義務がある。
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