半導体用語集
反応律速
英語表記：reaction controlled
熱酸化機構を説明するために提案されたDeal-Groveモデルによれば、Si02が薄い場合、酸化速度はSi02とSiとの界面における酸化反応が律速となり、酸化膜厚は酸化時間に比例する。この場合の比例係数の活性化エネルギーは、酸化剤が02、 H20によらずほぼ一定で、Si-Si結合を絶つエネルギーにほぼ等しい。低温、高圧下の酸化でしかも酸化時間が短いほど、この反応律速の要素が大きくなっている。
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