半導体用語集
拡散方法
英語表記：diffusion method
拡散方法は、開管法と閉管法に大きく分けることができる。閉管法は、半導体基板と拡散源を石英管の中に真空封しするか、または、必要に応じて気体を封入し、石英管全体を加熱する方法である。拡散源としては、気体、液体、固体のいずれもが使用可能である。この方法は、手間とコストがかかるために現をではほとんど用いられていない。開管法は、両端が開いた炉心管を用いる万法である。基板試料の上流に拡散源を置き、不純物原子は気化 (または、昇華)した状態でキャリアガスとともに基板試料へ送られる。拡散源としては、固体や液体の場合には適切な蒸気圧を持っている物質が用いられる。また、気体の場合にはそのままの状態で拡散源となる。一方、基板に取り込まれる不純物の形態により、気相拡散と固相拡散に大別することもできる。気相拡散では不純物を含む高温のガスの中に基板を置き、不純物を拡散させる。固体拡散では拡散源となる不純物、または不純物を含有した薄層を基板表面に形成し、その後の熱処理においてこの層を拡散源として拡散を行う。固相拡散における一つの方法として、ドープドオキサイドを用いる方法がある。この方法では、不純物を含んだ酸化膜をCVD法などでシリコン上に形成し、この層を拡散源とする。
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