半導体用語集
描画方式
英語表記：exposure strategy
電子ビームリソグラフィにおいては、ビームサイズが高々数μm程度と小さく、かつビーム偏向量が限られるため、ビームの形状、ビームの走査と、試料の移動とを組み合わせた様々 な描画方式で試料全面の感光材を露光させる。ビームの形状としては、ガウシアンビーム(スポットビーム)、可変成形ビームアパーチャの開口形状通りのビームを作り出して露光を行うキャラクタ(セル)ビームである。ビームの走査方法としては、パターンの拵在するところにビームを偏向してパターンを塗りつぶすように描画するべクタ走査、ステージを動かしながらビームを一定スピードー定振幅で振りながらビームをパターンの有無に応じてビームをon・offして描画するラスタ走査がある。試料の移動方式としては,パターンの存在するところにステージを移動し、描画を行っている間はステージを停止しているステップアンドリピート方式と、パターンの有無に関わらず全域を連続で移動させながら描画を行うステージ連続移動方式とがある。代表的な描画方式としてはビーム/ベクタ走査/ステージ連続移動、主にマスク描画装置で用いられる、（1）ガウシアンビーム（スポットビーム）/ラスタ走査/ステージ連続移動と、（2）可変成形ビーム/ベクタ走査/ステージ連続移動、ウェハ直接描画装置で用いられる、（3）可変成形ビーム+キャラクタビーム/ベクタ走査/ステージ連続移動である。
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