半導体用語集
方向性形状
英語表記：anisotropic profile
エッチングプロセスにおいて、その方式によりエッチング形状が大蝠に異なる。薬品を用いたウェットエッチングでは完全な化学反応によりエッチングが進行するため、エッチング形状はマスクであるレジストの下までエッチングされた(アンダカットという)ものになる。この形状を等方性形状といい、このエッチングを等方性エッチングという。プラズマを用いた場合でも、主に中性のラジカルよりエッチングされる場合には等方性形状となる。一方、プラズマエッチングにおいてイオンを主体としたエッチングではイオンを基板に加速することで基板に対して垂直にエッチングでき、マスクであるレジストの寸法どおりのパターンが形成できる。これを方向性(異方性)形状といい、このエッチングを方向性 (異方性)エッチングという。
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