半導体用語集
気相拡散
英語表記：vapor-phase diffusion
気相拡散は、P、As、Bなどを含んだガスにSi基板をさらすことによってなされる。P原子をドーピングする場合は以下の手順によってなされる。Si表面を拡散炉中で800～900℃の温度下で、POCl₃とO₂を含んだガスに曝すと、Si表面にP₂O₅が堆積されると同時に、堆積物からSi中にP原子が拡散される。P₂O₅からSi中にPが拡散した後、Si表面に残されたSiO₂を除去することによって、一連の工程は終了する。同様にB原子をドーピングする場合には、拡散源としてBBr₃を用い、O₂ガスとともに流すことによって行う。気相拡散は、拡散ソース中に含まれるハロゲンによってSi表面が荒らされたり、浅い拡散層を作りにくいなどの欠点があり、素子の微細化の進展とともに、使われる機会が次第に少なくなってきている。
最近では、気相拡散は、CVD法で形成されたpoly-SiへP原子をドーピングして、poly-Si電極を形成する際に主として用いられている。
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