半導体用語集
減圧CVD
英語表記：low-pressure Chemical Vapor Deposition
常圧CVDに対比して用いられる用語である。歴史的には、装置構成が簡便なことから常圧CVDが開発された。しかし、ウェハの大口径化、堆積膜の均一性向上のために反応容器内圧力を低減させた。特に、多結晶Siや窒化膜CVDにおいて、常圧（760 Torr）で堆積するよりも5～10 Torr程度の減圧環境で堆積した場合、堆積速度は多少劣るが、均一性が大きく向上したので開発された。常圧CVDとは異なり、真空排気装置が必要など装置が複雑になる。
なお、金属CVDでは一般に減圧下で堆積しているが、あえて減圧CVDとはいわない。これは研究開発当初から減圧環境を利用されたため、わざわざ「減圧」と表現する必要がなかったためであると思われる。
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