半導体用語集
素子分離
英語表記：isolation
LSI（Large Scale Integrated circuit ; 大規模集積回路）を正常に動作させるためには、半導体基板上に形成されたトランジスタ、ダイオード、抵抗、キャパシタといった数多くの素子が電気的に相互に干渉することを防がなければならない。素子分離とは、これらの素子を電気的に絶縁する技術を指す。素子の微細化、高密度化を実現するという観点では、素子分離領域の占める面積の縮小が不可欠であるため、いかにして絶縁性を維持しつつ、素子間の距離を縮めるかが鍵となる。また、素子分離上に形成されるデバイス特性の観点においても、素子分離端部のシリコン基板形状や不純物プロファイルの変化がトランジスタ特性、接合リーク、ゲート耐圧などに大きな影響を及ぼす。ゆえに素子分離技術は、LSIの集積度のみならず、その回路的性能や信頼性をも左右する根幹となる技術である。
分離法は様々なものが提案、開発、実用化されているが、今日では選択酸化法、トレンチ分離法が一般的に用いられている。
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